Установка присоединения кристаллов гибридных интегральных схем ЭМ-4025АМ-3, Минск

Установка
присоединения кристаллов гибридных интегральных схем ЭМ-4025АМ-3

Установка присоединения кристаллов ЭМ-4025АМ-3 предназначена для монтажа
полупроводниковых кристаллов и компонентов методом эвтектической пайки, монтажа
на клей и припой при сборке ИС, многокристальных приборов, ГИС, СВЧ-приборов и других изделий
электронной техники.

Размеры присоединяемых кристаллов - минимальные 0,4х 0,4 мм, максимальные
- в зависимости от размера монтажной площадки корпуса. Соотношение сторон присоединяемых кристаллов от 1:1 до 1:15.

Установка оснащена 8-инструментальной револьверной головкой, нагреваемым
рабочим столом с двумя зонами нагрева, пневмодозатаром для нанесения клея.
Привод вертикального перемещения по координате Z обеспечивает «мягкое» касание при монтаже
кристаллов из материалов соединений типа A_IIIB_V.

В основе работы установки лежит возможность выполнения по заданной
программе операций захвата кристаллов и
других компонентов из накопителей, дозирования клея и присоединения кристаллов
и компонентов к монтажным площадкам
корпусов и плат.

Захват кристаллов осуществляется вакуумом с предметных столиков и многорядных ячеистых кассет.
Максимальное количество устанавливаемых на плите ячеистых кассет- 8 шт,
предметных столиков- 2 шт. или с липкого носителя пластин диаметром до 150 мм
при соответствующей переналадкой установки.

Процесс присоединения кристаллов и компонентов методом пайки заключается
в нагреве соединяемых элементов до температуры образования жидкой фазы
соединяемых материалов (кремний, германий, золото, припой) с последующим
наложением колебаний в горизонтальной плоскости при помощи координатного стола
с регулировкой усилия сжатия соединяемых элементов. При недостаточной толщине
металлизации монтажной площадки для выполнения качественной пайки используют
промежуточную прокладку из соответствующего материала, которая может быть
присоединена к монтажной площадке непосредственно на установке (прокладки
предварительно укладываются в многоместные кассеты, из которых они как и
кристаллы захватываются вакуумом.)

Корпуса подаются в рабочую
зону в многоместных линейных кассетах, спутниках или зажимаются отдельно на одноместном
рабочем столике.

Нагреватель имеет две раздельно регулируемые зоны нагрева.

Установка работает в полуавтоматическом режиме. Программное управление
обеспечивает возможность программирования технологических параметров для
каждого кристалла (положение по X-Y-Z, номер инструмента, время задержки и
время вибрации, амплитуда и частота вибрации, режим нанесения эпоксида, рисунок
эпоксида и доза).

Установку следует эксплуатировать в помещениях с допустимой концентрацией
аэрозолей 50 част/л, размером 0,5 мкм при температуре окружающей среды (22±2)°С.
Относительная влажность (50±10)%.

Технические характеристики:

Производительность
2000 крист./час
Размер присоединяемы кристаллов
от 0,4×0,4 до 10×10 мм
Количество инструментов захвата кристаллов
8
Воспроизводимость позиционирования координатных столов по координатным Х, У
5 мкм
Рабочее поле перемещения координатного стола
400×200 мм
Диапазон регулирования усилия сжатия соединяемых элементов
От 8 до 500 Н
Диапазон регулирования температуры нагрева рабочих зон нагреваемого рабочего столика (отдельно для каждой зоны)
От 20 до 450°С
Диапазон регулирования температуры нагрева газовой струи газовых нагревателей
От 50 до 450°С
Погрешность позиционирования револьверной головки по координате Zв диапазоне перемещения от 0 до 9 мм
± 0,05мм
Погрешность присоединения кристаллов:

- по координате Х,У

- по углу

± 0,055мм

±5°

Потребляемая электрическая мощность
Не более 0,5 кВт
Габаритные размеры:

Длина

Ширина

высота

790 мм

800 мм

500мм

Характеристики установки присоединения кристаллов гибридных интегральных схем ЭМ-4025АМ-3

• — Страна производитель: Беларусь