Рециклинг пластин арсенида галлия GaAs, Минск

Существует целый ряд разновидностей брака поверхности пластин арсенида галлия, образующегося на различных стадиях изготовления полупроводниковых приборов.
При проведении процессов эпитаксии, фотолитографии, металлизации и других часть пластин отбраковывается и изымается из технологического процесса. На поверхности таких пластин находятся слои эпитаксиальных плёнок, фоторезиста, металла.
В ОАО МИНСКИЙ НИИ РАДИОМАТЕРИАЛОВ разработана технология восстановления пластин А3В5.
В рамках технологического процесса пластины сортируются по видам деффектов, глубине нарушений, толщине пластин. Затем бракованные пластины арсенида галлия проходят очистку и химическую обработку поверхности.
В дальнейшем происходит удаление нарушенных слоёв химико-механической полировкой производится предэпитаксиальная обработка поверхности и пластины упаковываются в индивидуальные контейнеры в среде инертного газа.
После этого пластины могут повторно использоваться в процессах эпитаксиального наращивания.
Если количество восстановленных пластин недостаточно для удовлетворения Ваших потребностей в них, в МНИИРМ может быть изготовлено недостающее количество пластин с соответствующими характеристиками.