Изготовления и рециклинг пластин GaAs и других, Минск
Цена: 300 BYR
за 1 шт
- Минимальный заказ - 1 шт;
- Предложение добавлено 07.01.2017;
- Уникальный код - 12474827;
- Количество просмотров - 103;
Описание товара
Изготовления и рециклинг пластин GaAs и других А3В5 материаловПластины GaAs изготовлены по технологии epi-ready с использованием технологии и химических составов корпорации Fujimi (Япония).
ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ:
Производство интегральных СВЧ микросхем, светодиодов, ИК излучателей, в том числе полупроводниковых лазеров, спутниковых солнечных батарей и пр.
Характеристики пластин :
Метод выращивания ...…….................………Чохральского (LEC);
Диаметр, мм ………………….................…50,8+/-0,3 и 76,2+/-0,3;
Удельное сопротивление, ом*см ………..……...............… > 1*107;
Подвижность, cm2/VS …………………..……….................... ≥ 4500;
Плотность дислокаций, см-2…………………..................…. ≤ 1*105;
Тип материала ……………………................…полуизолирующий;
Легирующая примесь…………………............…нелегированные;
Кристаллографическая ориентация …………............. по заказу;
Толщина …………………………………….......…..............по заказу;
Ориентация срезов ……………………............….….….по заказу;
Обработка лицевой стороны ….........полированная, подготов-
ленная под эпитаксию;
Обработка обратной стороны………………....…........по заказу;
TTV, мкм …………………….…………………......................…. < 7;
Bow, мкм ……………………….....…………….................…….< 10;
Упаковка …………………….......... индивидуальный контейнер
в инертной атмосфере.
Рециклинг пластин арсенида галлия GaAs
Существует целый ряд разновидностей брака поверхности пластин арсенида галлия, образующегося на различных стадиях изготовления полупроводниковых приборов. При проведении процессов эпитаксии, фотолитографии, металлизации и других часть пластин отбраковывается и изымается из технологического процесса. На поверхности таких пластин находятся слои эпитаксиальных плёнок, фоторезиста, металла.
Разработана технология восстановления пластин А3В5, реализуемая на собственном производственном участке. В рамках технологического процесса пластины сортируются по видам дефектов, глубине нарушений, толщине пластин. Затем бракованные пластины арсенида галлия проходят очистку и химическую обработку поверхности.
В дальнейшем происходит удаление нарушенных слоёв химико-механической полировкой производится предэпитаксиальная обработка поверхности и пластины упаковываются в индивидуальные контейнеры в среде инертного газа.
После этого пластины могут повторно использоваться в процессах эпитаксиального наращивания.
Изготовления и рециклинг пластин GaAs и других А3В5 материалов
ОБЛАСТЬ ПРИМЕНЕНИЯ:
Производство интегральных СВЧ микросхем, светодиодов, ИК излучателей, в том числе полупроводниковых лазеров, спутниковых солнечных батарей и пр.
Характеристики пластин :
Метод выращивания ...…….................………Чохральского (LEC);
Диаметр, мм ………………….................…50,8+/-0,3 и 76,2+/-0,3;
Удельное сопротивление, ом*см ………..……...............… > 1*107;
Подвижность, cm2/VS …………………..……….................... ≥ 4500;
Плотность дислокаций, см-2…………………..................…. ≤ 1*105;
Тип материала ……………………................…полуизолирующий;
Легирующая примесь…………………............…нелегированные;
Кристаллографическая ориентация …………............. по заказу;
Толщина …………………………………….......…..............по заказу;
Ориентация срезов ……………………............….….….по заказу;
Обработка лицевой стороны ….........полированная, подготов-
ленная под эпитаксию;
Обработка обратной стороны………………....…........по заказу;
TTV, мкм …………………….…………………......................…. < 7;
Bow, мкм ……………………….....…………….................…….< 10;
Упаковка …………………….......... индивидуальный контейнер
в инертной атмосфере.
Рециклинг пластин арсенида галлия GaAs
Существует целый ряд разновидностей брака поверхности пластин арсенида галлия, образующегося на различных стадиях изготовления полупроводниковых приборов. При проведении процессов эпитаксии, фотолитографии, металлизации и других часть пластин отбраковывается и изымается из технологического процесса. На поверхности таких пластин находятся слои эпитаксиальных плёнок, фоторезиста, металла.
Разработана технология восстановления пластин А3В5, реализуемая на собственном производственном участке. В рамках технологического процесса пластины сортируются по видам дефектов, глубине нарушений, толщине пластин. Затем бракованные пластины арсенида галлия проходят очистку и химическую обработку поверхности.
В дальнейшем происходит удаление нарушенных слоёв химико-механической полировкой производится предэпитаксиальная обработка поверхности и пластины упаковываются в индивидуальные контейнеры в среде инертного газа.
После этого пластины могут повторно использоваться в процессах эпитаксиального наращивания.
Изготовления и рециклинг пластин GaAs и других А3В5 материалов
Товары, похожие на Изготовления и рециклинг пластин GaAs и других
Обращаем ваше внимание на то, что торговая площадка BizOrg.su носит исключительно информационный характер и ни при каких условиях не является публичной офертой.
Заявленная компанией Минский НИИ радиоматериалов цена товара «Изготовления и рециклинг пластин GaAs и других » ( 300 BYR ) может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Минский НИИ радиоматериалов по указанным телефону или адресу электронной почты.
Заявленная компанией Минский НИИ радиоматериалов цена товара «Изготовления и рециклинг пластин GaAs и других » ( 300 BYR ) может не быть окончательной ценой продажи. Для получения подробной информации о наличии и стоимости указанных товаров и услуг, пожалуйста, свяжитесь с представителями компании Минский НИИ радиоматериалов по указанным телефону или адресу электронной почты.